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发布时间:2025-07-14
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观点网讯:7月14日,韩国LG电子宣布其生产技术研究所(PTI)已启动混合键合设备开发项目,目标在2028年实现大规模量产。该技术被视为下一代高带宽存储器(HBM)制造的关键环节。
混合键合采用无凸块的铜-铜直接键合方式,可显著缩小各层DRAM芯片间距,在有限高度内实现16层以上堆叠,同时降低发热量。
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(责任编辑:张晓波 )imtoken@youweb.com
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